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儀器設備

LYRA3 GMH|聚焦離子束場掃描電子顯微鏡

廣泛應用于半導體集成電路修改、離子束沉積、離子束刻蝕以及定點制備高質量TEM樣品,以及材料、冶金、集成電路、地質礦產、生物醫學、化工、刑偵、災害分析、珠寶鑒定、工業產品質量檢測及生產工藝控制等??蓪饘?、半導體、電介質、多層膜等材料進行微納尺度的表征以及加工,對材料形貌、成分、物相及結構進行快速分析,可實現三維形態與結構分析,可進行原位拉伸以及原位加熱分析。
  • 參數生產廠家:捷克TESCAN
  • 參數電子光學:分辨率 1.0 nm @30 kV 放大倍數 1-1,000,000× 加速電壓 0.05-30 kV 探針電流 2pA-200nA
  • 參數離子光學:分辨率 < 2.5nm@30KV 放大倍數 150-1,000,000× 加速電壓 0.5-30 kV 探針電流 1pA~50nA 離子源 液態金屬Ga離子源
  • 參數樣品室: 340mm(寬),315 mm(深)
  • 參數樣品臺:計算機優中心,X=Y=130mm,Z=1000mm,T=-80-90°,R=360°
  • 參數Oxford Aztec X-MAX50能譜儀:分析元素4Be-98Cf
  • 參數Oxford Symmetry EBSD:采集并解析速度3000點/秒
  • 參數Kammrath & Weiss原位拉伸及加熱臺:最大載荷5kN,最高溫度800°C,可原位EBSD分析
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